駱蘇華北京快幫知識產(chǎn)權(quán)有限公司 摘要：通過對現(xiàn)階段國內(nèi)外企業(yè)在中國的專利申請量以及集成電路布圖設(shè)計登記量的對比，詳細分析了國內(nèi)外企業(yè)對待其技術(shù)成果的保護的不同考慮角度，為企業(yè)開展相關(guān)工作提供指導。 關(guān)鍵詞：半導體，發(fā)明專利，實用新型專利，集成電路布圖設(shè)計 一．引言 半導體技術(shù)發(fā)展到今天，已逐漸分化成三大組成部分，即設(shè)計業(yè)、芯片制造業(yè)和后道封裝業(yè)。這種分化是半導體技術(shù)產(chǎn)業(yè)走向成熟的表現(xiàn)。法律上針對上述不同的三部分，也產(chǎn)生了多種保護手段，目前半導體技術(shù)可能涉及的知識產(chǎn)權(quán)有：專利權(quán)、著作權(quán)、商業(yè)秘密、集成電路布圖設(shè)計、商標權(quán)。下面表1給出保護半導體技術(shù)知識產(chǎn)權(quán)的簡要說明。 表1保護半導體技術(shù)知識產(chǎn)權(quán)的簡要說明 從上表可以看出，對半導體產(chǎn)業(yè)中的技術(shù)成果通常采用專利權(quán)、商業(yè)秘密以及集成電路布圖設(shè)計進行保護。而其中，商業(yè)秘密相對來說條件要求高，發(fā)生侵權(quán)時舉證困難不經(jīng)常被采用，當然，在很多時候，由于其不會造成技術(shù)公開，很多公司采用該優(yōu)點保護其核心技術(shù)。為此，下面重點圍繞專利權(quán)和集成電路布圖設(shè)計保護條例對半導體技術(shù)的保護展開。 二、國內(nèi)外企業(yè)登記和申請現(xiàn)狀 我國于2001年3月28日，國務(wù)院第36次常務(wù)會議通過《集成電路布圖設(shè)計保護條例》，該條例從2001年10月1日起實施，至今，施行《集成電路布圖設(shè)計保護條例》已有六年多時間了。集成電路布圖設(shè)計的申請量逐年上升，圖1給出集成電路布圖設(shè)計從2001年以來的登記量的變化。截至到2008年1月16日，國家知識產(chǎn)權(quán)局已公告集成電路布圖設(shè)計專有權(quán)1505項，在上述登記中，國內(nèi)企業(yè)（忽略個人登記）的登記占80％左右，國外企業(yè)（忽略個人登記）占20%左右，這說明，集成電路布圖設(shè)計以國內(nèi)企業(yè)登記為主，國外企業(yè)登記較少。 圖1從2001年以來集成電路布圖設(shè)計的登記量的變化 圖2 從1995年以來中國企業(yè)在中國申請的專利的公開量的變化 圖3 從1995年以來外國企業(yè)在中國申請的專利的公開量的變化 我國現(xiàn)行專利法于1985年4月1日起正式施行，分別于1992年和2000年進行了兩次修改，目前正面臨第三次修改。圖2給出從1995年以來中國企業(yè)（忽略個人申請）在中國申請的專利的公開量的變化，同時，圖3給出從1995年以來外國企業(yè)（忽略個人申請）在中國申請的專利的公開量的變化?？梢钥闯?，半導體技術(shù)領(lǐng)域中外國企業(yè)在我國的專利申請量是中國單位或者個人在國內(nèi)的專利申請量的三倍以上；從專利申請的類型來看，外國企業(yè)在國內(nèi)申請的專利中實用新型專利占總的專利比例很少，而國內(nèi)企業(yè)在國內(nèi)申請的專利中，實用新型專利占的比例稍高；同時，從申請量的增長趨勢來看，國外企業(yè)在中國的專利申請量的增長明顯大于國內(nèi)企業(yè)的申請量的增長。 結(jié)合上述集成電路布圖設(shè)計登記量的統(tǒng)計結(jié)果，國外企業(yè)的集成電路布圖設(shè)計登記量不足國內(nèi)登記量的四分之一。同時還要注意，國內(nèi)的集成電路設(shè)計權(quán)利人以知名集成電路企業(yè)為主，如無錫華潤、上海貝嶺、上海中穎、上海力通、無錫日松、上海華虹、北京中星微、中電華大等公司，但這些企業(yè)的專利申請量大都比較少；而美國、韓國、南非等國家中的集成電路布圖設(shè)計權(quán)利人都是些不太知名的企業(yè)，日本、芬蘭集成電路布圖設(shè)計權(quán)利人中盡管有部分知名企業(yè)，但是其登記量都不多而國外大多數(shù)知名企業(yè)在我國申請了大量專利。 三、現(xiàn)狀分析及結(jié)論 　　國內(nèi)外企業(yè)在中國的集成電路布圖設(shè)計登記量與專利申請量的差別除了由于國內(nèi)企業(yè)的創(chuàng)新能力較差導致之外，還具有以下原因： 對于國內(nèi)企業(yè)來說，集成電路布圖設(shè)計登記具有審查周期短、審查程序簡便、費用相對較低等優(yōu)勢，其取得保護的便利程度大大超過專利保護，所以成本是國內(nèi)企業(yè)考慮的主要因素。同時，國內(nèi)企業(yè)對于專利法和集成電路布圖設(shè)計保護條例的客體存在認識誤區(qū)也是一個重要原因。 國內(nèi)企業(yè)往往認為集成電路布圖設(shè)計保護條例與專利法的保護客體完全不同，前者保護布圖（lay-out），后者保護結(jié)構(gòu)或者方法，二者風馬牛不相及，因而認為自己設(shè)計出來的版圖與產(chǎn)品或者方法無關(guān)，故采用集成電路布圖設(shè)計條例來保護。 集成電路布圖設(shè)計（以下簡稱布圖設(shè)計），是指集成電路中至少有一個是有源元件的兩個以上元件和部分或者全部互連線路的三維配置，或者為制造集成電路而準備的上述三維配置，其保護范圍可以延伸至具有該布局的半導體芯片。因此，集成電路布圖設(shè)計涉及的是半導體芯片的布局，半導體芯片的布局若含有原始電路設(shè)計就可得到保護。 我國的專利是指發(fā)明、實用新型和外觀設(shè)計，專利法所稱發(fā)明，是指對產(chǎn)品、方法或者其改進所提出的新的技術(shù)方案。專利法所稱實用新型，是指對產(chǎn)品的形狀、構(gòu)造或者其結(jié)合所提出的適于實用的新的技術(shù)方案。專利法所稱外觀設(shè)計，是指對產(chǎn)品的形狀、圖案或者其結(jié)合以及色彩與形狀、圖案的結(jié)合所作出的富有美感并適于工業(yè)應(yīng)用的新設(shè)計。由于外觀設(shè)計保護的主體是工業(yè)品外觀，不太適于集成電路布圖設(shè)計，因此本文的專利僅指發(fā)明或者實用新型。 因此專利權(quán)一般用于保護“概念”。例如，以前無先例的方法、程序、構(gòu)造或系統(tǒng)對上述的改進提出聲明及主張。從這個角度來說，專利權(quán)保護的范圍比集成電路布圖設(shè)計延伸的范圍要廣，布圖設(shè)計中保護的是提交的布局圖上能夠看到的各個圖層，類似于外觀設(shè)計；而發(fā)明和實用新型專利權(quán)保護的是該專利中記載的技術(shù)方案，還可以保護其技術(shù)思想。 實際上，當布圖落實到實際工藝中就成為專利中的產(chǎn)品或者方法，因此可以說，采用集成電路布圖設(shè)計保護還是采用專利法來保護，并不應(yīng)該從企業(yè)做什么而申請，而應(yīng)該從企業(yè)設(shè)計出來的產(chǎn)品是從哪個角度進行保護而申請。所以說，集成電路布圖設(shè)計保護條例與專利法并不矛盾，而是相輔相成。 通常還會有下列的觀點：在集成電路設(shè)計中，尤其是設(shè)計一些規(guī)模較大的電路時，常將一些已為人所熟知的單元電路加以組合，這種拼揍而成的集成電路大多難以滿足專利法的創(chuàng)造性要求，故而選擇集成電路布圖設(shè)計保護模式進行保護。這個觀點也是有失偏頗的！ 半導體工藝和設(shè)計的過程分不開，電路設(shè)計必須基于一定的工藝進行設(shè)計，比如設(shè)計一種功率放大器電路，當采用0.25微米的工藝與采用0.09微米的工藝時，設(shè)計的電路即使相同，但是由于器件的尺寸不同，功能就不同，導致其版圖（lay-out）和制造的產(chǎn)品必然不同。但是這個不同是否簡單的尺寸的縮放？在進行版圖設(shè)計和制造過程中，需要克服很多的技術(shù)困難，其實電路能夠設(shè)計出來但是無法制造出來的情況很多。因此，雖然布圖設(shè)計的確存在簡單拼揍的情況，而不能滿足專利法的創(chuàng)造性的要求，但是更多的情況是由于在實際設(shè)計和制造過程中，需要克服一定的技術(shù)困難，尤其是在亞微米尺寸的半導體器件中，各種附加的尺寸效應(yīng)隨著工藝的尺寸不同而不同，需要不同的處理方式來克服，因此具有實質(zhì)性的特點，能夠滿足專利法的創(chuàng)造性的要求。 當然，退一步說，如果該企業(yè)單單從事集成電路設(shè)計，那么其可能對于制造這一塊的內(nèi)容不是很熟悉，于是會去進行集成電路布圖設(shè)計登記，但是對于那些既從事設(shè)計又從事制造的企業(yè)來說，其應(yīng)該權(quán)衡要從哪個角度去保護，確定是申請專利進行保護還是進行布圖登記進行保護，最好是二者兼顧。 下面給出一個實例來說明集成電路布圖設(shè)計條例和專利保護的異同。比如一種CMOS圖像傳感器的發(fā)明，該發(fā)明通過在溝槽及摻雜區(qū)的下方注入第一雜質(zhì)離子形成光電二極管的第一極的掩埋區(qū)及針形區(qū)以消除場氧化區(qū)底部和邊緣可能存在的暗電流，針形區(qū)由于沒有被場氧化區(qū)覆蓋，而對光具有極高的敏感度。該發(fā)明創(chuàng)造由于涉及掩膜圖形的改變，既可以通過提交該CMOS圖像傳感器的布局（layout）進行布圖設(shè)計登記保護，還可以申請專利，均可實現(xiàn)保護。 從專利保護內(nèi)容角度來說，可以保護含有掩埋區(qū)及針形區(qū)的CMOS圖像傳感器、含有該集成電路的物品、制作該CMOS圖像傳感器的方法（發(fā)明），而無論掩埋區(qū)及針形區(qū)如何布局包括形狀、位置等均落入保護范圍；從集成電路布圖設(shè)計條例角度來說，可以保護含有掩埋區(qū)及針形區(qū)的該CMOS圖象傳感器的布圖，以及含有該CMOS圖象傳感器電路的物品。由于集成電路布圖設(shè)計條例不延及思想、處理過程、操作方法或者數(shù)學概念等，因而當含有不同布局的掩埋區(qū)及針形區(qū)的CMOS圖象傳感器無法保護，或者說，如果含有該掩埋區(qū)及針形區(qū)的CMOS圖象傳感器電路具有不同的布局，那么需要進行不同集成電路布圖設(shè)計的登記。因此，專利法的保護廣度更強。 從權(quán)利人的權(quán)利角度來看，專利由于保護思想，若有相關(guān)產(chǎn)品涉及侵權(quán)，還可以通過“等同原則”進行認定，凡是涉及光電二極管的第一極的掩埋區(qū)及針形區(qū)及其變形的圖像傳感器、及制造、使用、許諾銷售、銷售、進口該圖像傳感器或者使用其專利方法，均可以被認定侵權(quán)（即專利權(quán)中的排他性）；而對于登記后的集成電路，復(fù)制受保護的布圖設(shè)計的全部或者其中任何具有獨創(chuàng)性的部分的，為商業(yè)目的進口、銷售或者以其他方式提供受保護的布圖設(shè)計、含有該布圖設(shè)計的集成電路或者含有該集成電路的物品的被認定為侵權(quán)。因此，一旦發(fā)生侵權(quán)，申請專利可以要求更多的被告和賠償額。 從申請兩種保護后競爭對手的反應(yīng)來看，獲得專利權(quán)除了具有上述排他性的權(quán)利外，它也有少于被人重視到的功能，那就是預(yù)計競爭者的可能發(fā)展方向和產(chǎn)品，而申請有針對性的專利來達成阻礙競爭者的手段。在這樣的運用方式下，可以說專利權(quán)的可塑性比其它的知識產(chǎn)權(quán)高。專利權(quán)不但可用于保護自己的知識產(chǎn)權(quán)觀念（用于防守），也可用于阻礙（用于攻擊）競爭者的新產(chǎn)品或發(fā)展。 國外企業(yè)在考慮以哪種方式進行保護的時候，重專利輕集成電路布圖設(shè)計保護的深層次原因，也正是可能在于上述的對兩種權(quán)利的價值和保護效果的不同理解。 因此，從企業(yè)的專利布局來說，當該技術(shù)方案既可以采用專利法保護又可以采用集成電路保護條例進行保護的時候，如果資金面允許，兩者均申請，可以多角度的進行保護；若資金面不允許，但是該發(fā)明創(chuàng)造又很重要的話，建議申請專利進行保護。雖然在取得專利權(quán)前的籌備與執(zhí)行中，需要投注實質(zhì)上的時間與金錢，包含交付政府專利機構(gòu)及專利律師的費用等，但是在將來專利的潛力無法預(yù)估，即使是一些并不太重要的專利，還可以通過公開而防止由于成為競爭對手的專利而需要付實施許可費或者受到限制。 集成電路布圖設(shè)計保護制度在我國實施的時間不長，但它是知識產(chǎn)權(quán)保護國際規(guī)則的重要組成部分，我們不能輕率地否定它的價值，但應(yīng)加強研究，不僅僅是理論研究，更要強調(diào)實踐層面的調(diào)研，在充分認識和理解集成電路布圖設(shè)計保護制度的基礎(chǔ)上，為企業(yè)開展相關(guān)工作提供指導。